Поиск аналогов электронных компонентов
MMBT5401
MDDГермания

MMBT5401

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - SingleSOT-23

TRANS PNP 160V SOT23

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер160 V
Коэффициент усиления hFE801mA
Мощность300 mWМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Power - Max300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)160 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition100MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23
Другое
MfrMDD
Product StatusActive
SeriesSOT-23
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 5mA, 50mA

Изображения

Документы