Поиск аналогов электронных компонентов

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер-150 V
Ток коллектора-600 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE6060 to 240 (IC = -10 mA,VCE = -5.0 V)
Мощность350 mWМакс.
Питание
Collector Current (IC)-600 mA
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))-0.2 V (Max) (IC = -10 mA, IB = -1.0 mA)
Collector-Emitter Voltage (VCEO)-150 V
Power Dissipation (PD)350 mW (Max)
Характеристики по постоянному и переменному току
Current Gain Bandwidth Product (fT)100 to 300 MHz
DC Current Gain (hFE)60 to 240 (IC = -10 mA, VCE = -5.0 V)
Условия эксплуатации и корпус
Operating Temperature-55 to +150 °C
PackageSOT-23 3L
Другое
Transistor TypePNP

Документы