Поиск аналогов электронных компонентов
MJD127T4
STMicroelectronicsШвейцария

MJD127T4

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - SingleTO-252-3

TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер100 V
Ток коллектора8 AМакс.
Коэффициент усиления hFE10004A
Мощность20 WМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)10µA
Current - Collector (Ic) (Max)8 A
Power - Max20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition-
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageDPAK
Другое
Base Product NumberMJD127
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Series-
Transistor TypePNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic4V @ 80mA, 8A

Изображения

Документы