STMicroelectronicsШвейцария
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер100 V
Ток коллектора8 AМакс.
Коэффициент усиления hFE10004A
Мощность20 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Power - Max | 20 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
| Frequency - Transition | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Другое | |
| Base Product Number | MJD122 |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |