Поиск аналогов электронных компонентов
MJD112T4
onsemiСША

MJD112T4

Снят с производстваSingle Bipolar TransistorsTO-252-3

TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер100 V
Ток коллектора2 AМакс.
Коэффициент усиления hFE10002A
Мощность20 WМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)20µA
Current - Collector (Ic) (Max)2 A
Power - Max20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition25MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
PackageCut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageDPAK
Другое
Base Product NumberMJD11
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Series-
Transistor TypeNPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2V @ 8mA, 2A

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.