Поиск аналогов электронных компонентов
MJD112G
onsemiСША

MJD112G

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - SingleTO-252-3

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер100 V
Ток коллектора2 AМакс.
Коэффициент усиления hFE10002A
Мощность1.75 WМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)20µA
Current - Collector (Ic) (Max)2 A
Power - Max1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition25MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-65°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageDPAK
Другое
Base Product NumberMJD112
Mfronsemi
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.