Cmos(广东场效应半导体)Китай
Darlington Transistor MJD112G
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| Channel | N达林顿 |
| Power | 20 |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Package | TO-251 |
| Другое | |
| ID | 2 |
| Part Number | MJD112G |
| Product Name | MJD112G |
| Type | DIP/达林顿 |
| VDSS | 100 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.