DDF(鼎德丰)Китай

MJD112

Single Bipolar Transistors

达林顿类型：NPN。集电极电流IC:2A 集电极-基极击穿电压VCBO:100V 集电极-发射极击穿电压VCEO:100V

Подобрать аналог Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Технические параметры этого компонента пока не указаны.

Документы

DatasheetDatasheet · 184.3 KB · 2026-09-21

Центр документации