Поиск аналогов электронных компонентов

MJD112

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
IC-最大集电极电流2A
VCBO-CB结击穿电压100V
VCBO-集基级击穿电压100V
VCEO-CE结击穿电压100V
VCEO-集射级击穿电压100V
VEBO-EB结击穿电压5V
VEBO-射基级击穿电压5V
Характеристики по постоянному и переменному току
fT-变换频率NMHZ
hFE-最小直流增益1000
Hfe-最小直流增益1000
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1TO252
封装类型2TO252
最大工作温度150℃
Другое
Pd-功率耗散1.5W
Pd-最大功率耗散1W
VCE(sat)-CE结饱和压降2V
VCE(sat)-集射级饱和压降3V
引脚数量13
引脚数量23

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.