DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3 TOWER
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 30 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580 mV @ 200 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C~150°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Three Tower |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Другое | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mfr | GeneSiC Semiconductor |
| Product Status | Obsolete |
| Series | - |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.