HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
肖特基二极管以其低正向压降和快速开关特性而著称,适用于高频电路中。此款二极管的最大正向电流IF为10安培,在满载时的正向压降VF为1伏特,能够在大电流条件下保持较低的能量损耗。其额定反向击穿电压VR为100伏特,确保了在高电压条件下的稳定性。在100伏特的反偏电压下,反向漏电流IR控制在100微安,体现了良好的反向阻断能力。该二极管广泛应用于消费电子设备中的电源转换、保护电路以及直流稳压模块中,能够有效提升系统的整体性能。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Прямое падение напряжения1 VМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | TO-220F |
| Другое | |
| IF | 10A |
| IFSM | 125A |
| IR | 100uA |
| VF | 1V |
| VR | 100V |