Поиск аналогов электронных компонентов

LT1013DDR

ПроизводитсяInstrumentation, OP Amps, Buffer Amps8-SOIC

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Напряжение питания5 ~ 30 V
Произведение усиления на полосу1 MHzТип.
Напряжение смещения нуля90 µVТип.
Ток покоя320 µAТип.
Число каналов2
Питание
Current - Input Bias18 nA
Current - Supply320µA (x2 Channels)
Voltage - Supply Span (Max)30 V
Voltage - Supply Span (Min)5 V
Характеристики по постоянному и переменному току
Gain Bandwidth Product1 MHz
Slew Rate0.4V/µs
Voltage - Input Offset90 µV
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature0°C~70°C(TA)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
Другое
Amplifier TypeGeneral Purpose
Base Product NumberLT1013
MfrTexas Instruments
Number of Circuits2
Output Type-
Product StatusActive
Series-

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.