Поиск аналогов электронных компонентов

JANTXV2N3636UB

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 175V 1A 3SMD

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер175 V
Ток коллектора1 AМакс.
Коэффициент усиления hFE5050mA
Мощность1.5 WМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)10µA
Current - Collector (Ic) (Max)1 A
Power - Max1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)175 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition-
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-65°C~200°C(TJ)
PackageBulk
Package / Case3-SMD, No Lead
Supplier Device Package3-SMD
Другое
Base Product Number2N3636
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
SeriesMilitary, MIL-PRF-19500/357
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 50mA

Документы