Поиск аналогов электронных компонентов
IRLML2402GPBF-HXY

IRLML2402GPbF N沟道MOSFET,选用绿色环保的无铅SOT-23封装工艺,具备出色的电气性能。该器件工作电压高达20V(VDSS),最大连续漏极电流可达2.3A,而超低的导通电阻仅有48mR(RD(on)),显著提升了能源效率并降低了功率损耗。这款MOS管适用于各类开关调节器、电机驱动以及高集成度电子产品的设计中,以卓越的品质和性能,助您实现更高水平的电路控制与节能效果。

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока2.3 A
Сопротивление в открытом состоянии72 mΩМакс. · 2.5V
Питание
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.3A
Другое
导通电阻(RDS(on))72mΩ@2.5V
数量1个N沟道

Изображения

Документы