HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
这款场效应管采用P型设计，适用于高效能应用。其关键参数包括：11A的最大电流承载能力，30V的漏极-源极电压，以及13mΩ的典型内阻。VGS为20V，确保了良好的控制性能。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。(IRF7416TRPBF)
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока11 A
Сопротивление в открытом состоянии16 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 11A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,10A |
| 数量 | 1个P沟道 |