Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款双N型MOSFET,采用Trench工艺,适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。SOP8;2个N—Channel沟道,20V;7.1A;RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=12V;Vth=0.6~1.5V;

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока7.1 A
Сопротивление в открытом состоянии26 mΩМакс. · 2.5V
Питание
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7.1A
Другое
导通电阻(RDS(on))26mΩ@2.5V,6.0A
数量2个N沟道

Документы