HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
GS1M
Single Diodes这款通用二极管具有稳定的性能，其最大整流电流IF可达1A，峰值反向电压VR最高可承受1000V，正向电压降VF仅为1.1V，在微小的反向电流IR（≤5μA）下表现优异，瞬时正向浪涌电流IFSM能够达到30A。该二极管适用于多种电路中的整流、保护以及信号处理应用，能够在保证低功耗的同时提供高效的电流控制功能。其特性使得它成为设计中不可或缺的基础元件，特别是在需要高可靠性和精确电流管理的场合中。(GS1M-LTP)
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение1 kV
Средний выпрямленный ток1 A
| Питание | |
|---|---|
| 反向电流(Ir) | 5uA@1000V |
| 整流电流 | 1A |
| Другое | |
| 二极管配置 | 独立式 |
| 直流反向耐压(Vr) | 1kV |