Goford SemiconductorТайвань, Китай
P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока4.8 A
Сопротивление в открытом состоянии46 mΩМакс. · 4.1A
Пороговое напряжение900 mVМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Другое | |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 4.5 V |
| Mfr | Goford Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 4.1A, 4.5V |
| Series | TrenchFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |