VBsemi(微碧半导体)Китай
FDB045AN08A0-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性和高效率的功率电子模块，如电源管理、电动车辆和工业自动化等领域。TO263；N—Channel沟道,80V；120A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток80 V
Постоянный ток стока120 A
Сопротивление в открытом состоянии10 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |