Поиск аналогов электронных компонентов
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

ES1F

ПроизводитсяSingle Diodes

DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение300 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения1.3 VМакс. · 1 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 300 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 1 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseDO-214AC, SMA
Supplier Device PackageDO-214AC (SMA)
Другое
Base Product NumberES1F
Capacitance @ Vr, F18pF @ 1V, 1MHz
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Документы