HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为50V电压应用设计,额定电流0.1A。具备低导通电阻和快速开关特性,尤其适用于电池保护、信号切换等精细功率控制场合,实现电子设备高效节能的运作。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток50 V
Постоянный ток стока130 mA
Сопротивление в открытом состоянии5 ΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |