GME(银河微电)Китай
50V, N Channel, Small Signal MOSFETs
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Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 最大开启电压 VGS(th) (V) | 1.5 |
| 最大栅极漏电流 IGSS (nA) | ±10 |
| 最大栅源电压 VGS (V) | ±20 |
| 最大漏极电流 ID (A) | 0.36 |
| 沟道极性 Channel Polarity | N |
| 漏源击穿电压 VDSS (V) | 50 |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| ESD 等级 | Y |
| REACH 合规 | YES |
| RoHS 合规 | YES |
| 封装 Package | SOT-723 |
| Другое | |
| AEC-Q 车规认证 | NO |
| 典型导通电阻 RDS(on) | 1000 |
| 典型导通电阻 RDS(on) b | 1200 |
| 典型导通电阻 RDS(on) c | 1700 |
| 出口管制编码 ECCN | EAR99 |
| 无卤 Halide-free | YES |
| 无铅 Pb-free | YES |
| 最低结温 Tj min (℃) | -55 |
| 最大导通电阻 RDS(on) | 1600 |
| 最大导通电阻 RDS(on) b | 2500 |
| 最大导通电阻 RDS(on) c | 4500 |
| 最大耗散功率 PD (W) | 0.15 |
| 最高结温 Tj max (℃) | 150 |
| 生命周期 Marketing Status | Active |
| 结构 Configuration | Single |
Изображения
Документы
DatasheetDatasheet · 682.4 KB · 2026-09-23EnvironmentalEnvironmental · 1.5 MB · 2026-09-23Package DrawingPackage Drawing · 1.1 MB · 2026-09-23EnvironmentalEnvironmental · 874.0 KB · 2026-09-23Package DrawingPackage Drawing · 669.7 KB · 2026-09-23Package DrawingPackage Drawing · 266.4 KB · 2026-09-23
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