BSL211SPL6327

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT-23-6 Thin

P-CHANNEL POWER MOSFET

Все аналоги

Тип каналаP-channel

Напряжение сток-исток20 V

Постоянный ток стока4.7 A

Сопротивление в открытом состоянии67 mΩМакс. · 4.7A

Пороговое напряжение1.2 VМакс. · 25μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C~150°C(TJ)
Package	Bulk
Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package	PG-TSOP6-6-6
Другое
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	654 pF @ 15 V
Mfr	Infineon Technologies
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Series	OptiMOS™-P
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 25µA

К этому компоненту пока не привязаны документы.