ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDТайвань, Китай
AS2004EU
Single FETs, MOSFETsВсе аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| ID-最大漏极电流 | 0.66A |
| VDSS-最大漏源电压 | 20V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| RDS(on)-漏源导通阻抗 | 520mΩ |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装类型1 | SOT723 |
| Другое | |
| Pd-功率耗散 | 0.15W |
| Qg-栅极电荷 | NnC |
| 内置ESD保护二极管 | 0 |
| 内置整流二极管 | 0 |
| 引脚数量1 | 3 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.