VBsemi(微碧半导体)Китай
APT5018BLL-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；500V；50A；RDS(ON)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30VVth=3.8V；采用SJ_Multi-EPI技术
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток500 V
Постоянный ток стока40 A
Сопротивление в открытом состоянии80 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 500V |
| 连续漏极电流(Id) | 40A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 530W |