TDD(台冠电子)Китай

MOS 配置 独立式；沟道类型 P 沟道；漏源击穿电压（Vds) -30V；连续漏极电流（Id) -4.3A；栅极开启电压 (Vgs (th)) -1.0V~-3.0V；导通内阻 (Rds (on)) 110mΩ@Vgs=-10V；耗散功率 (Pd) 1.25W；工作结温范围 -55℃~+150℃