VBsemi(微碧半导体)Китай

TO252；P—Channel沟道,-200V；-8.5A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；是一款采用Trench技术是一款单通道功率场效应晶体管，适用于需要高耐压、高效率的电源模块和驱动模块。