Goford SemiconductorТайвань, Китай
N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока5.6 A
Сопротивление в открытом состоянии59 mΩМакс. · 2.8A
Пороговое напряжение1.4 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Другое | |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820 pF @ 15 V |
| Mfr | Goford Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 2.8A, 2.5V |
| Series | TrenchFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.