Rohm SemiconductorЯпония
TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер30 V
Ток коллектора1 AМакс.
Коэффициент усиления hFE270100mA
Мощность500 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Power - Max | 500 mW |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 320MHz |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | SC-96 |
| Supplier Device Package | TSMT3 |
| Другое | |
| Base Product Number | 2SD2675 |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA |