VBsemi(微碧半导体)Китай
2N7002LT1G-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока250 mA
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA |
| Другое | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |