搜索结果:IRLML6302

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

IC MOSFET P-CH 20V SOT-23

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IC MOSFET P-CH 20V SOT-23

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

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单 FET,MOSFET

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23

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单 FET,MOSFET

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

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单 FET,MOSFET

IRLML6302GPBF is a P-channel power MOSFETs with VDS max: -20 V, RDS (on) max: 600 mOhm, Package: SOT-23, Technology: IR MOSFET™, Polarity: P

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23

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单 FET,MOSFET

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3

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JFET

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

这款IRLML6302PbF MOS管采用先进的P沟道技术,封装为小巧耐用的SOT-23形式。其拥有卓越的电气性能,工作电压高达20V,连续电流可达2.3A,低至95mΩ的导通电阻确保了高效的能源转换与传输。适用于各类电源管理、电机驱动等应用场景,是您设计电路的理想选择,兼具高性能与可靠性。

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

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单 FET,MOSFET

IRLML6302TRPBF-1 is a P-channel power MOSFETs with VDS max: -20 V, RDS (on) max: 600 mOhm, Package: SOT-23, Technology: IR MOSFET™, Polarity: P

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V;Vth=-0.5~-1.5V;

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON),使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。

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