IRLML6302TRPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；
沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3.2 A
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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3.2 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |