Результаты поиска:TW123V65C,LQ
Найдено: 1- С даташитом1
- Производителей1
Результаты поискаВсего: 1
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single FETs, MOSFETs | 【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高效率电力转换场景中表现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对能效和功率密度有较高要求的电源系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等应用场合。 | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.