TJ9A10M3,S4Q
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока9 A
Сопротивление в открытом состоянии170 mΩМакс. · 4.5A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 1mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 19W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Другое | |
| Base Product Number | TJ9A10 |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 10 V |
| Mfr | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 4.5A, 10V |
| Series | U-MOSVI |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.