Поиск аналогов электронных компонентов
TBC847B,LM

TBC847B,LM

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - SingleSOT-23-3

TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер50 V
Ток коллектора150 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE2002mA
Мощность320 mWМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)30nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)150 mA
Power - Max320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition100MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23-3
Другое
Base Product NumberTBC847
MfrToshiba Semiconductor and Storage
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic400mV @ 100mA, 5mA

Изображения

Документы