Nexperia USA Inc.Нидерланды
DIODE GP 100V 215MA DFN1006D-2
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение100 V
Средний выпрямленный ток215 mA
Прямое падение напряжения1.25 VМакс. · 150 mA
ТипStandardFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 215mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 80 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C(Max) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | 2-XDFN |
| Supplier Device Package | DFN1006D-2 |
| Другое | |
| Base Product Number | BAS16 |
| Capacitance @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | Nexperia USA Inc. |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Series | Automotive, AEC-Q101, BAS16 |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.