NXP USA Inc.Нидерланды
DIODE GEN PURP 75V 215MA SC75
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение75 V
Средний выпрямленный ток215 mA
Прямое падение напряжения1.25 VМакс. · 150 mA
ТипStandardStandard Recovery >500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 215mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 nA @ 75 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C(Max) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Supplier Device Package | SC-75 |
| Другое | |
| Base Product Number | BAS11 |
| Capacitance @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | NXP USA Inc. |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3 µs |
| Series | - |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.