Results forSIHP15N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为260mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，兼容常规驱动电路并具备良好的栅极耐压能力。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频工作时表现出较低的开关损耗与优异的热性能，适用于高效率电源、小型化适配器及对能效和散热有较高要求的电力电子系统。