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- SIHG44N65EF-GE3
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
- SIHG44N65EF-GE3
Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
- SIHG44N65EF-GE3
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIHG44N65EF-GE3-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；47A；RDS(ON)=50(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
- SIHG44N65EF-GE3-HXY
Single FETs, MOSFETs
本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有650V漏源电压（VDSS）、29A最大连续漏极电流（ID）及60mΩ低导通电阻（RDON），支持高功率密度与高效率电路设计。器件具备优异的开关性能和热稳定性，适用于电源适配器、储能系统、智能家电以及电机驱动等各类高性能电子设备中的功率控制应用，可满足高频、高压工作环境的技术需求。
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