Results forSI2300DS-T1-GE3

N沟道,30V,3.6A,68mΩ@4.5V

本产品是一款N型场效应管，具有6A的电流承载能力，最高20V的工作电压。其内阻典型值为18mΩ，VGS为12V。适用于多种电子设备中，如电源管理、信号放大等关键电路，确保系统稳定运行。低内阻保证了高效的电流控制能力。

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

Si2300DS-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用精巧的SOT-23封装，专为紧凑型电路设计。器件支持20V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定处理6A的连续漏极电流(ID)，体现卓越的电流承载力。其导通电阻(RD(on))仅有22mΩ，有效减少功率损耗，提高能效表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等领域，是您追求高集成度与低功耗半导体解决方案的理想选择。