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- KL4N35
Transistor, Photovoltaic Output Optoisolators
晶体管光耦（DC)，电流传输比100%~，正向电压1.2V,反向电流10uA，TAin击穿电压80V，TAax暗电流50nA，隔离电压5000V，总消耗功率200TAW，工作温度-55~+110℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），直脚-铜线
- KL4N35M
Transistor, Photovoltaic Output Optoisolators
晶体管光耦（DC)，电流传输比100%~，正向电压1.2V,反向电流10uA，TAin击穿电压80V，TAax暗电流50nA，隔离电压5000V，总消耗功率200TAW，工作温度-55~+110℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），M脚-铜线
- KL4N35S1-TA
Transistor, Photovoltaic Output Optoisolators
晶体管光耦（DC)，电流传输比100%~，正向电压1.2V,反向电流10uA，TAin击穿电压80V，TAax暗电流50nA，隔离电压5000V，总消耗功率200TAW，工作温度-55~+110℃，SMD6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），S1TA-铜线
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