Results forHJ393A/B/C

HJ393A/B/C是耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器，内含DC/DC驱动、变压器、整流滤波、高速数字隔离和栅驱动器，实现单电源+5V供电。该电路内部产生隔离的VCC（+13V～+20 V）正电源电压和VEE（-3V～-6V）负电源电压。根据输入PWM信号频率的不同，分为A、B、C三挡。 HJ393A能将最大800KHz占空比为0-100%的TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCC到VEE的驱动信号； HJ393B能将最大800KHz占空比为0-100%的TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCC到VEE的驱动信号； HJ393C能将最大1MHz占空比为0-100%的TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCC到VEE的驱动信号。 由于超宽的禁带能级，使得用SiC材质制作的NMOS管的正向跨导比传统的Si材质的小，故为了达到额定的ID电流，那么需要的栅源电压要大一些。另外，为了保证在Tj≥250℃下MOS管能够可靠关断，以及减小SiC-MOSFET的密勒效应，保证高温下输入低电平的噪声容限，SiC MOS管需要一个负偏压关断，这点类似于IGBT管。该器件可满足SiC-MOS管/IGBT管栅极驱动的要求，确保SiC-MOS管/IGBT管的可靠导通和关断。其最大瞬态峰值驱动电流为4A，且具有较高的隔离度和抗扰度，确保在高频PWM信号和高电压的情况下电路可靠工作