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G2301B-J 是一款为控制 P&N 沟道 MOSFETs而设计的三路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 3个半桥，共驱动 3 个 P 沟道功率 MOSFETs和 3 个 N 沟道功率 MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制， 由 MCU 或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部集成了 3.3/5V 的 LDO，电流能力达到 100mA。 内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。 G2301B-J 封装类型为 ESOP16。