Results forFDD4141-F085

【联系：sales@hxymos.com】该P沟道场效应管（MOSFET）最大漏极电流为50A，漏源击穿电压40V，导通电阻低至10mΩ。其低导通损耗特性有助于提升电源转换效率并减少发热，适用于高电流负载开关、电池保护电路及便携式设备的电源管理模块。该器件在有限空间内提供可靠的功率控制能力，适合对能效和热性能有严格要求的紧凑型电子系统设计。

MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A TO252

MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A TO252

该P沟道场效应管最大漏极电流为50A，漏源击穿电压40V，导通电阻典型值10mΩ。其低阻抗特性显著降低导通损耗，适用于高电流负载开关、电池组保护电路及电源极性反接防护模块。在直流电源分配系统中，它能有效简化驱动电路设计并减少发热；亦常用于便携式电子设备的电源管理单元，满足大电流切换下对能效与空间布局的严格要求。