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  • C6D08065G-TR-HXY

    Single Diodes

    该碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降低至1.38V,有效减少导通损耗,提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性,该器件支持高频开关操作,反向恢复时间极短,可显著降低开关损耗,适用于高频率、高效率的电源转换设计。典型应用场景包括高效开关电源、高密度功率变换模块及对热管理要求严苛的紧凑型电子设备。

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