Results forC3D02060E

【联系：sales@hxymos.com】该碳化硅二极管为独立式配置，具有8A的额定正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.3V，非重复浪涌正向电流（IFSM）可达64A。其基于碳化硅材料的结构在高频开关过程中展现出较低的导通损耗与快速恢复特性，适用于高效率电源、开关模式电源转换器以及对热性能和空间布局有严格要求的电力电子系统。

SiC肖特基二极管

DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-2

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，在浪涌条件下可承受高达64A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下表现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换场合。