上海乐存信息科技有限公司

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  • LC32F030

    Memory

    系统时钟:96MHz 存储:Flash16K/32K/64K,SRAM10K 工作电压:1.8V~3.6V 工作温度:-40℃~105%℃

  • LC35M12B-IB

    Memory

    工作频率(MHz/CLK):83MH 电压:1.8V 密度:512Mb

  • LC25M4BA-1AIB4

    Memory

    工作频率(MHz/CLK):104MHz 电压:1.8V 密度:256Mb

  • LC35Q4GM-1B

    Memory

    工作频率(MHz/CLK):104MHz 电压:3.3V 密度:4Gb

  • LC35Q2GBS-IB

    Memory

    工作频率(MHz/CLK):104MHz 电压:3.3V 密度:2Gb

  • LCND2G08U3D-IA

    Memory

    工作频率(MHz/CLK):25ns 电压:3.3V 密度:2Gb

  • LCND2G08S3D-IA

    Memory

    工作频率(MHz/CLK):45ns 电压:1.8V 密度:2Gb

  • STM32F415

    Microcontrollers

  • LC32F405

    DSP (Digital Signal Processors)

    ARMCortex-M4内核,32位,主频168MHz 支持数字信号处理(DSP),浮点运算(FPU)和内存保护(MPU) 集成片上温度传感器(T-SEN),集成真随机数发生器(TRNG) 集成安全加密弓I擎(SSE),符合AUTOSARSHE标准 宽温:-40C~105C,车规级AEC-O100G1认证

  • LCF5(4)11816HBR-MBIN

    Memory

    工作频率(MHz/CLK):933MHz 电压:1.5V(1.35V) 密度:2Gb

  • LC32F407

    DSP (Digital Signal Processors)

    ARMCortex-M4内核,32位,主频168MHz 支持数字信号处理(DSP),浮点运算(FPU)和内存保护(MPU) 集成片上温度传感器(T-SEN),集成真随机数发生器(TRNG) 集成安全加密弓I擎(SSE),符合AUTOSARSHE标准 宽温:-40C~105C,车规级AEC-O100G1认证

  • LC32F103

    DSP (Digital Signal Processors)

    ARMCortex-M4内核,32位,主频168MHz 支持数字信号处理(DSP),浮点运算(FPU)和内存保护(MPU) 集成片上温度传感器(T-SEN),集成真随机数发生器(TRNG) 集成安全加密弓I擎(SSE),符合AUTOSARSHE标准 宽温:-40C~105C,车规级AEC-O100G1认证

  • LC29S01GABU-1110

    Memory

    工作频率(MHz/CLK):110ns 电压:3.3V 密度:1Gb

  • LC32F417

    DSP (Digital Signal Processors)

    ARMCortex-M4内核,32位,主频168MHz 支持数字信号处理(DSP),浮点运算(FPU)和内存保护(MPU) 集成片上温度传感器(T-SEN),集成真随机数发生器(TRNG) 集成安全加密弓I擎(SSE),符合AUTOSARSHE标准 宽温:-40C~105C,车规级AEC-O100G1认证

  • LCF5(4)12808HBR-MBIN

    Memory

    工作频率(MHz/CLK):933MHz 电压:1.5V(1.35V) 密度:4Gb

  • LC32F415

    DSP (Digital Signal Processors)

    ARMCortex-M4内核,32位,主频168MHz 支持数字信号处理(DSP),浮点运算(FPU)和内存保护(MPU) 集成片上温度传感器(T-SEN),集成真随机数发生器(TRNG) 集成安全加密弓I擎(SSE),符合AUTOSARSHE标准 宽温:-40C~105C,车规级AEC-O100G1认证

  • LC25M4AE-13IB1

    Memory

    工作频率(MHz/CLK):133MHz 电压:1.8V 密度:128Mb

  • LCND4G08S3F-ID

    Memory

    工作频率(MHz/CLK):30ns 电压:1.8V 密度:4Gb

  • LCF5(4)12816HBR-MBIN

    Memory

    工作频率(MHz/CLK):933MHz 电压:1.5V(1.35V) 密度:4Gb

  • LCND8G08S3N-ID

    Memory

    工作频率(MHz/CLK):30ns 电压:1.8V 密度:8Gb

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