欣凯祥-HALLWAFER

DH6207是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。 在电路设计上，DH6207提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式；同样通过这个机制，芯片被周期性地“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔

DH253是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。 DH253的输出晶体管在面向封装标示的一面存在一定强南极或北极磁场时会被锁定在开(BOP)状态，而在无磁场时锁定在关(BRP)状态。

DH45L是一款基于BCD工艺的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。 DH45L的输出晶体管在面向封装标示的一面存在一定强南极或北极磁场时会被锁定在开(BOP)状态，而在无磁场时锁定在关(BRP)状态。

DH251是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。

DH553是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。 DH553的输出晶体管在面向封装标示的一面存在一定强南极或北极磁场时会被锁定在开(BOP)状态，而在无磁场时锁定在关(BRP)状态。

DH271是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。 在电路设计上，DH271提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式；同样通过这个机制，芯片被周期性地“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔器件

DH482是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。 在电路设计上，DH482提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式；同样通过这个机制，芯片被周期性地“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔器件

DH3471是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。 在电路设计上，DH3471提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式；同样通过这个机制，芯片被周期性地“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔

DH481L是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。 在电路设计上，DH481L提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式；同样通过这个机制，芯片被周期性地“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔

DH481D是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。在电路设计上，DH481D提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式；同样通过这个机制，芯片被周期性地“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔器

DH481G 是一款基于混合信号 CMOS 技术的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。 在电路设计上，DH481G 提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式；同样通过这个机制，芯片被周期性地“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外

DH481 是一款基于混合信号 CMOS 技术的全极型 霍尔效应传感器，这款 IC 采用了先进的斩波稳定技术， 因而能够提供准确而稳定的磁开关点。在电路设计上，DH481 提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源， 同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流 较大的电路周期性的进入“休眠”模式；同样通过这个 机制，芯片被周期性地“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值

DH543是基于双极半导体(Bipolar)工艺设计和生产的霍尔效应传感器开关电路。器件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、反向电压保护器、信号放大处理电路、施密特触发器和一个开集电极输出驱动三极管。DH543内部补偿特性使其灵敏度随温度升高略有升高，特别适合与常用的低成本磁钢匹配。增强的输出驱动电路可以驱动更大的电流，降低器件内部功耗。DH543可以耐受60V高压冲击。以上特性大大提高了器件的可靠

DH471是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。 在电路设计上，DH471提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式；同样通过这个机制，芯片被周期性地“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔器

DH43A是基于双极半导体(Bipolar)工艺设计和生产的霍尔效应传感器开关电路。器件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、反向电压保护器、信号放大处理电路、施密特触发器和一个开集电极输出驱动三极管。ES543内部补偿特性使其灵敏度随温度升高略有升高，特别适合与常用的低成本磁钢匹配。增强的输出驱动电路可以驱动更大的电流，降低器件内部功耗。DH43A可以耐受60V高压冲击。以上特性大大提高了器件的可靠

DH44E是基于双极半导体(Bipolar)工艺设计和生产的霍尔器件，器件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、反向电压保护器、信号放大处理电路、施密特触发器和一个开集电极输出驱动三极管。 当S极接近芯片标记面，且当施加到霍尔效应片的磁感应强度B超过工作点（BOP）时（即B>BOP>0），输出导通，输出变低。当磁感应强度减弱低于释放点（BRP）（即0<B<BRP）或撤除（B=0）时，输出关断，输出变

G230系列单极开关型霍尔位置传感器电路是采用 CMOS 工艺技术设计加工的，它是由电压稳压单元、具有动态偏差补偿系统的霍尔传感器、小信号放大器、施密特触发器和漏极开路输出驱动单元组成的磁敏传感器集成电路。输入控制信号为磁感应强度，输出是一个开关型的数字电压信号，适合于配合矩形或者圆柱形磁体下工作。在没有磁场控制时，该系列传感器电路的输出管将关断，输出为高电平；当磁场强度 B 大于工作点(BOP)

DH43F 系列高温单极性霍尔效应集成传感器是由内部电压稳压单元、霍尔电压发生器、差分放大器、温度补偿单元、施密特触发器和集电极开路输出级组成的磁敏传感电路，其输入为磁感应强度，输出是一个数字电压信号。它是一种单磁极工作的磁敏电路，适合于矩形或者柱形磁体下工作。DH43F 可以在 -40 ℃ ~150℃工作，电源电压工作范围从 3.8V 到 30V，负载电流能力最高可达 50mA。封装形式为 SI

DH583是一款基于混合信号CMOS技术的单极型霍尔效应传感器，器件内部集成了电压调节器、带动态偏置补偿系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个开漏极输出驱动，这些都在一个封装里。这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。除了以下“应用”中列出的应用外，这款传感器还有很多其他应用。因为DH583的宽工作电压以及宽泛的温度选择范围，使得它非常适合用于汽车、工业以及消费行业中。这