航晶-Hangjing

HJ1U××P/HJ1U××N是将两个超高速整流晶体管装配在全密封外壳内，采用氧化铍（BeO）基片保证器件具有非常低的热阻，能够提高效率和可靠性。主要应用在开关电源和逆变器中，也可作为独立二极管使用

HJ1407是一种高精度、低漂移、低噪声、低功耗和抗静电的双极性半导体集成电路，由介质隔离工艺制成。使用中不需要调零、频率补偿和外接保护电路。主要应用于电子系统前置放大、误差放大、直流信号放大、直接耦合放大、仪表放大器、双路和四路匹配放大等要求高精度、低漂移、高可靠及抗静电等信号处理的场合，特别适于放大传感器的微弱信号，可涉及国防、军用、石油勘探和工业等多种领域。HJ1407分别可直接替代AD公司的OP400，HJ1407还可直接替代AD公司的AD704等

HJHR4000/(HJHR4001)角位移传感器

HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点，可广泛应用于高速功率开关、继电器驱动器和通用切换应用程序，DC-DC和DC-AC转换器用于电信、工业和照明设备。可替代IRF5210，且该产品已实现全国产化

HJ9435具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点，可广泛应用移动设备的电源管理器、DC-DC转换器、马达驱动、电池供电系统以及测井等高温环境中

HJ540 是由先进工艺制成的NMOSFET功率晶体管，具有非常低的导通电阻（90mΩ）和快的开关速度。先进制造工艺保证HJ540工作环境温度达到200 ℃以上。 HJ540采用有BeO基片的TO-257金属全密封外壳封装，三个引出端和外壳(散热器)是绝缘的，外壳可以接任一电位，使用方便，可广泛应用于驱动继电器、显示器、传感器以及逻辑接口等电路中

HJ8736具有导通电阻低、电流能力强特点，可广泛应用移动设备的电源管理器、DC-DC转换器、马达驱动、电池供电系统等环境中

HJ2803J/HJ2804J是高压大电流达林顿阵列，由八个共发射极达林顿管组成。每个通路额定电流为500mA，能承受600mA峰值电流，内设续流二极管，可以驱动电感负载。该器件运用灵活，用来驱动继电器、直流马达、LED显示器、白炽灯、热印头和大功率缓冲器等

HJ190KT2/ MXT190KT2四路PMOS开关具有输入阻抗高、抗干扰能力强、工作电压范围宽、漏电小、导通电阻低、导通时间短等特点，可广泛应用于电平转换、开关驱动、逻辑选通等电路中。该电路与俄罗斯190KT2电路完全兼容，可直接代换使用

HJ2003/HJ2004是高压大电流达林顿阵列，由七个共发射极的达林顿管组成。每个通路额定电流为250mA，能承受400mA峰值电流，内设续流二极管，可以驱动电感负载。该器件运用灵活，用来驱动继电器、直流马达、LED显示器、白炽灯、热印头和大功率缓冲器等

HJ2003/HJ2004是高压大电流达林顿阵列，由七个共发射极的达林顿管组成。每个通路额定电流为250mA，能承受400mA峰值电流，内设续流二极管，可以驱动电感负载。该器件运用灵活，用来驱动继电器、直流马达、LED显示器、白炽灯、热印头和大功率缓冲器等

HJ2183是一款600V高压半桥驱动器，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，具有高低边输出，用来驱动半桥电路中的两个高压大功率MOSFET或 IGBT。输入信号兼容CMOS 和 LSTTL 电平，最低可到 3.3V。输出级可以提供较高的峰值电流驱动，让交叉导通时间减到最小。输出级的传输延时做了匹配，简化了在高频场合中的应用。主要应用于移动电源高压快充开关电源、电动车控制器、变频水泵控制器、600V 降压型开关电源、无刷电机驱动器和高压 Class-D 类功放等。可直接替代IR2183，且该产品已实现全国产化

HJ4426/HJ4427/HJ4428是一款改进型驱动器，在规定的功率和电压范围内不会发生闩锁效应，当地线上产生任一极性大到5V的噪声峰值电压情况下，器件也不会受到损坏。器件输出端能够承受500 mA的反向电流而不会发生损坏或逻辑改变。所有引出端都有静电保护措施，静电放电阈值电压达到 4kV以上。无论输出高或低，HJ4426/HJ4427/HJ4428都能提供一个非常低的阻抗，以在30 ns内高速驱动1000pF电容负载

HJ393A/B/C是耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器，内含DC/DC驱动、变压器、整流滤波、高速数字隔离和栅驱动器，实现单电源+5V供电。该电路内部产生隔离的VCC（+13V～+20 V）正电源电压和VEE（-3V～-6V）负电源电压。根据输入PWM信号频率的不同，分为A、B、C三挡。 HJ393A能将最大800KHz占空比为0-100%的TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCC到VEE的驱动信号； HJ393B能将最大800KHz占空比为0-100%的TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCC到VEE的驱动信号； HJ393C能将最大1MHz占空比为0-100%的TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCC到VEE的驱动信号。 由于超宽的禁带能级，使得用SiC材质制作的NMOS管的正向跨导比传统的Si材质的小，故为了达到额定的ID电流，那么需要的栅源电压要大一些。另外，为了保证在Tj≥250℃下MOS管能够可靠关断，以及减小SiC-MOSFET的密勒效应，保证高温下输入低电平的噪声容限，SiC MOS管需要一个负偏压关断，这点类似于IGBT管。该器件可满足SiC-MOS管/IGBT管栅极驱动的要求，确保SiC-MOS管/IGBT管的可靠导通和关断。其最大瞬态峰值驱动电流为4A，且具有较高的隔离度和抗扰度，确保在高频PWM信号和高电压的情况下电路可靠工作

HJ4426/HJ4427/HJ4428是一款改进型驱动器，在规定的功率和电压范围内不会发生闩锁效应，当地线上产生任一极性大到5V的噪声峰值电压情况下，器件也不会受到损坏。器件输出端能够承受500 mA的反向电流而不会发生损坏或逻辑改变。所有引出端都有静电保护措施，静电放电阈值电压达到 4kV以上。无论输出高或低，HJ4426/HJ4427/HJ4428都能提供一个非常低的阻抗，以在30 ns内高速驱动1000pF电容负载

HJ4426/HJ4427/HJ4428是一款改进型驱动器，在规定的功率和电压范围内不会发生闩锁效应，当地线上产生任一极性大到5V的噪声峰值电压情况下，器件也不会受到损坏。器件输出端能够承受500 mA的反向电流而不会发生损坏或逻辑改变。所有引出端都有静电保护措施，静电放电阈值电压达到 4kV以上。无论输出高或低，HJ4426/HJ4427/HJ4428都能提供一个非常低的阻抗，以在30 ns内高速驱动1000pF电容负载

HJ722是NPN型高温中功率达林顿晶体管，HJ727是PNP型高温中功率达林顿晶体管。它们具有很高的电流增益和极好的匹配特性，能够实现互补NPN-PNP晶体管，工作温度超过200℃。广泛的应用于线性放大和开关工作

HJBD137（NPN)/HJBD138(PNP)是小信号放大器晶体管，常用于互补电路的音频放大器和驱动器，具有高直流电流增益的特点

HJ41C(NPN)/ HJ42C(PNP)晶体管主要用于音频功率放大，大负载驱动电路，中大容量，开关电路，自动控制电路等，主要特点有反向漏电小、饱和压降小等