minos(迈诺斯)

采用沟槽工艺，具备低开启电压特性，60V 20A,25mΩ@10V,广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。

单向可控硅（晶闸管）器件,常用于过压保护、马达控制、限流电路、加热控制等领域

采用SGT工艺,100V 170A,3.4mΩ@10V，应用于逆变器电源管理，开关电源等领域

采用SGT工艺,100V 120A,3.6mΩ@10V，适用于电机驱动器和高速开关应用

双向可控硅（TRIAC）器件,具有大电流承载能力，适用于家用电器、工业控制、照明调光等领域

采用SGT工艺,100V 170A,3.4mΩ@10V，应用于逆变器电源管理，开关电源等领域

采用沟槽工艺，具备低开启电压特性，100V 15A,90mΩ@10V,广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。

SGT MOS,100V/120A 4.8mΩ@10V，应用于逆变器电源管理，开关电源等领域

驱动配置:半桥 负载类型:IGBT；MOSFET 驱动通道数:2 灌电流(IOL):4A 描述：这是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，广泛应用于电机驱动、逆变器、电源转换等领域

采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术)，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=50A，具有导通压降低和关断损耗小等优点，适用于光伏逆变，储能，UPS，电焊等应用场景

N沟道 100V 179A

高耐压、高速的MOSFET 栅极驱动器，专为超大输出功率的D类音频功率放 大器应用而设计,带有PWM调制器和保护功能

采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术)，集射极击穿电压Vces=600V，集电极电流Ic=50A，具有导通压降低和关断损耗小等优点，适用于光伏逆变，储能，UPS，电焊等应用场景

同步降压转换器芯片,可将2.5V至6V的输入电压转换为低至0.6V的可调输出电压，实现高效、稳定的电压转换和供电

200V 70A

采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术)，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=10A，具有导通压降低和关断损耗小等优点，适用于光伏逆变，储能，UPS，电焊等应用场景

650V 30A

同步降压转换器芯片,可将2.5V至6V的输入电压转换为低至0.6V的可调输出电压，实现高效、稳定的电压转换和供电

采用沟槽工艺，具备低开启电压特性，60V 50A,15mΩ@10V,广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。